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联电推出55纳米BCD平台提升行动装置、消费性电子与汽车应用的电源效率

发表日期:2025-10-22

联华电子今（22）日宣布推出全新的55纳米BCD （Bipolar-CMOS-DMOS）平台，为下世代移动设备、消费性电子、车用与工业应用实现更高的电源效率与系统整合。此平台针对电子产品日益复杂的电源管理需求而设计，实现更小的芯片面积、更低的功耗与卓越的抗噪声表现，赋予电源电路设计更高的灵活度与可靠性。

CD技术能在单一芯片上集成模拟、数字与电力元件，广泛应用于电源管理与混合信号IC。联电全新的55纳米BCD平台提供多元化电源IC应用的解决方案，以满足不同应用领域对效能与可靠度的需求：

非磊晶（Non-EPI）制程：具备独特元件架构的高性价比方案，为移动及消费性装置提供优异的电源效率与性能。
磊晶（EPI）制程：符合最严格的车规AEC-Q100 Grade 0标准，支持高达150V作电压，提升在极端环境下车用电子的可靠性。
绝缘层上覆硅（SOI）制程：符合车规AEC-Q100 Grade 1标准，具备卓越的抗噪声特性、高速运作与超低漏电性能，非常适合高阶车用与工业使用。
平台同时整合了超厚金属层（UTM）、嵌入式闪存（eFlash）与电阻式随机存取存储器（RRAM）等技术，进一步提升芯片效能与系统整合弹性。

联电技术研发副总经理徐世杰表示：「55纳米BCD平台的推出，象征联电在BCD技术布局上的重要里程碑，更进一步完善我们的特殊制程产品组合，强化在电源管理市场的竞争优势。虽然55纳米BCD制程已在市场上量产多年，联电推出全新且全面的55纳米BCD解决方案，具备卓越的组件特性，协助客户打造创新电源解决方案，应用范围涵盖智慧型手机、穿戴式装置、车用、智能家庭与智慧工厂等领域。」

联电已建构业界最完整且成熟的BCD技术组合，制程节点横跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55纳米，提供具差异化的解决方案，凭借着能提供广泛的电压需求、丰富的IP资源与完善的设计支持，加速客户产品开发时程，强化在智能电源与混合讯号市场的竞争力，持续与客户共同实现长期双赢成长。