全球晶圆专工大厂联华电子今（22）宣布，与全球IP矽智财授权领导厂商ARM的合作基于联华电子14奈米鳍式场效电晶体（FinFET器件）制程生产的PQV测试晶片已经设计定案（带出来），代表的ARM Cortex-A系列处理器核心通过联华电子高阶晶圆制程验证。此14奈米合作案延续自双方成功将ARM Artisan®实体IP整合至联华电子28奈米高介电金属闸极（High K/Metal gate）量产制程。

联华电子14奈米FinFET的制程技术验证，是联华电子的FinFET制程启动其他IP生态系统的第一步，包括基础IP矽智财（IP基础）和ARM处理器实体设计。

联华电子负责矽智财开发与设计支援的王国雍副总表示：「在联华电子准备向客户提供14奈米FinFET的制程之际，建立强大的设计支援基础以强化14奈米平台的整体效益是至关重要的。ARM是先进制程的IP矽智财全球领导供应商，我们很高兴能够延续先前的成功经验，将工匠实体IP以及皮质处理器解决方案纳入联华电子14奈米制程。」

联华电子14奈米FinFET的制程已经展现卓越的128MB SRAM产品良率，并预计于2015年底接受客户设计定案（出带）。

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