• 联华电子与新思科技开发第二个联电14奈米制程PQV测试，展现双方公司持续不懈的努力，以及加速DesignnWare矽智财纳入联华电子14奈米FinFET器件制程的决心。

• 第二个联华电子14奈米FinFET的制程PQV包含的DesignWare嵌入式记忆体与STAR的DesignWare记忆体系统

• 延续14奈米FinFET的制程PQV的成功，包含了新思科技的DesignWare逻辑库矽智财以及StarRC寄生电路抽取工具（寄生参数提取工具），此次两家公司继续拓展合作关系

联华电子与新思科技今（22）日共同宣布，双方拓展合作关系，于联华电子14奈米第二个PQV测试晶片上纳入新思科技的DesignWare嵌入式记忆体IP与DesignWare STAR记忆体系统测试与修复解决方案。此PQV提供了更多矽资料，可让联华电子进一步微调其14奈米FinFET的制程，以实现最佳化的功耗，效能与位面积表现。双方已成功设计定案了第一个联华电子14奈米FinFET的制程PQV，包含了新思科技的DesignWare逻辑库与StarRC™寄生电路抽取工具（寄生参数提取工具），而此次PQV则继续拓展伙伴关系。

新思科技IP暨原型建造行销副总裁约翰•Koeter指出：「新思科技与联华电子扩展的合作关系展现了双方共同的目标，也就是协助晶片设计公司在联华电子制程上，将我们的DesignWare的矽智财结合到其系统单晶片设计上。现已有超过45颗的FinFET测试晶片设计定案（流片），新思科技将持续倾全力致力于为的FinFET制程提供高品质矽智财，使晶片设计公司能够降低整合风险，并加速量产时程。」

联华电子矽智财研发暨设计支援副总王国雍表示：「除了研发业界具竞争力的14奈米制程，以满足当今最尖端晶片应用产品的需求外，联华电子现正致力于建构相当完整的全方位支援架构，借此加速14奈米客户设计中的速度。继联华电子与新思科技于14奈米制程上成功验证PQV后，很高兴在我们最先进的制程上与新思科技优质的DesignWare的矽智财继续拓展合作。我们期待将这份伙伴关系所带来的好处提供给双方客户，协助采用14奈米进行设计的客户，能获得功耗，效能与成本上的优势。」

联华电子14奈米FinFET的制程已展现了卓越的128MB SRMA良率，预期于2015年年底接受客户设计定案（出带）。

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