联华电子今(23日)宣布，该公司自主研发的14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段。出货给主要客户的14纳米量产晶圆，良率已达高度先进制程的业界竞争水平，并将运用于开拓崭新的消费电子产品应用。

联华电子执行长颜博文表示：「此次14纳米量产里程碑的达成，是联华电子与客户携手努力的成果，这象征了我们已成功地以合作模式，将先进技术导入市场。同时，我们与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥14纳米FinFET在效能、功率和闸密度所具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。」

联华电子14纳米 FinFET制程效能与业界领先标准相比颇具竞争力，速度较28纳米增快55％，闸密度则达两倍，此外，功耗亦较28纳米减少约50％。此14纳米客户芯片现正于联华电子台南的Fab 12A晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其14纳米产能。

联华电子14奈米FinFET的制程已展现了卓越的128MB SRMA良率，预期于2015年年底接受客户设计定案（出带）。

媒体联络人:
曹兰馥 (Lan Fu Tsau)
(03)578 2258 ext. 31083
lan_fu_tsau@umc.com