联华电子今(2)日发布领先业界的28奈米嵌入式高压 (eHV) 制程之最新加强版28eHV+平台。28eHV+平台可提供更高功效及更高质量的视觉效果，是下一代智能手机、VR/AR设备及物联网使用的最佳显示器驱动IC解决方案。

相较于联电现有的28奈米eHV制程，新的28eHV+解决方案可在不影响图像画质或数据速率的前提下，降低耗能达15%。除了满足节省电池用电的需求外，28eHV+还更精确的电压控制优化功能，提供设计工程师设计时更大的灵活性。

联电技术研发副总经理徐世杰表示：「我们很高兴推出崭新的28eHV+平台，目前已有几家客户在洽谈中，并计划于2023年上半年投入量产。身为晶圆特殊制程的领导者，联电提供差异化的解决方案，配合客户的产品蓝图，与客户一起掌握市场快速成长的机会。继发布28eHV+平台后，我们的研发团队将致力于将显示器驱动IC解决方案扩展到22奈米及以下制程。」

联电的28eHV+技术采用了业界最小的SRAM单元，进而缩减了芯片面积。此平台奠基于联电领先的28奈米后闸极高介电系数金属闸极 (28nm Gate-last High-K/Metal Gate) 技术，具有卓越的低漏电和动态功率性能。

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